制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSDSON-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.8 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:29 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置:Single
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長度:3.3 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:3.3 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值:140 S
下降時間:3.4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:4.4 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:5.5 ns
零件號別名:BSZ018NE2LSATMA1 BSZ18NE2LSXT SP000756338