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BSZ013NE2LS5I
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TSDSON-8

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：1.3m?

IDpuls max：160.0A

VDS max：25.0V

ID max：40.0A

Package：S3O8 (3x3mm style SuperSO8)

Rth：1.8K/W

QG：17.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.52

RDS (on) (@4.5V) max：1.7m?

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：69.0W

Polarity：N

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：60.0K/W

Mounting：SMD

Coss：1200.0pF

Ciss：2500.0pF

VGS(th) min max：1.2V 2.0V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSZ013NE2LS5I	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1652.97 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSZ013NE2LS5I_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1652.97 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSZ013NE2LS5IATMA1	MOSFET LV POWER MOS	Infineon Technologies	994.11 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSZ013NE2LS5IATMA1	MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON	Infineon Technologies	994.11 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)