制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:50 V
Id-連續(xù)漏極電流:130 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:5 V
Qg-柵極電荷:0.28 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1 mm
長(zhǎng)度:2.9 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:BSS84
晶體管類(lèi)型:1 P-Channel
類(lèi)型:Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度:1.3 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.05 S
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:8 mg