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BSS138LT3G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Id-連續(xù)漏極電流:200 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:850 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:5 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.94 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:BSS138L

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:10000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:20 ns

單位重量:40 mg

BSS138LT3G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
BSS138LT3G	Power MOSFET 200 mA, 50 V	ONSEMI[ON Semiconductor]	79.38 Kbytes	共6頁	LBSS138LT1,NTP30N20,MSK4422S,MMFT107T1,MSK4322,QJD0240002,NTB30N20,MJ15011,IRL520N,MTD6N20E	產(chǎn)品購買
BSS138LT3G	Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23	ONSEMI[ON Semiconductor]	64.02 Kbytes	共5頁	NTLJS4114N,2N6796,UF640,NTD4809NH,NTD4810NH,2N7000_07,NTD4813NH,NTK3134N,NTLGD3502N,MRF1513NT1	產(chǎn)品購買
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