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BSS138LT3
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):50V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF

電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):225mW(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖BSS138LT3
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSS138LT3Power MOSFET 200 mA, 50 V ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)79.38 Kbytes共6頁(yè)BSS138LT3的PDF文件地址LBSS138LT1,NTP30N20,MSK4422S,MMFT107T1,MSK4322,QJD0240002,NTB30N20,MJ15011,IRL520N,MTD6N20E BSS138LT3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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