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BSS123N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT23-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：6000.0m?

IDpuls max：0.77A

VDS max：100.0V

ID max：0.19A

Package：SOT-23

QG：0.6nC

Budgetary Price ?€/1k：0.02

RDS (on) (@4.5V) max：10000.0m?

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

Coss：3.4pF

Ciss：15.7pF

VGS(th) min max：0.8V 1.8V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS123N

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSS123N	OptiMOSa?￠ Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	633.16 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123N H6327	MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3	Infineon Technologies	570.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123N H6327		Infineon(英飛凌)	627.53 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123N H6433	MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3	Infineon Technologies	569.87 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123N3	N-CHANNEL MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]	301.37 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6327XT	MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3	Infineon Technologies	570.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6327XTSA1	MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3	Infineon Technologies	570.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3	Infineon Technologies	627.53 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6327XTSA1		Infineon(英飛凌)	627.53 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6433XTMA1	MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3	Infineon Technologies	569.87 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS123NH6433XTMA1	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	Infineon Technologies	627.53 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買