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BSR802N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SC59-3

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：23.0m?

IDpuls max：14.8A

VDS max：20.0V

ID max：3.7 A

Package：SC59

QG：4.7nC

Budgetary Price ?€/1k：0.09

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

VGS(th) min max：0.3 V 0.75 V

Coss：290.0pF

Ciss：1013.0 pF

RDS (on) (@1.8V) max：32.0m?

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

BSR802N

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	197.38 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N	Optimos2 Small-Signal-Tansistor N-channel Avalanche rated	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	490.8 Kbytes	共3頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N	Enhancement mode	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	224.69 Kbytes	共3頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N	OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	141.7 Kbytes	共3頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N L6327	MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3	Infineon Technologies	409.50 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802N L6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：3.7A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：750mV @ 30uA 漏源導(dǎo)通電阻：23mΩ @ 3.7A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類(lèi)型：N溝道	Infineon(英飛凌)	412.78 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802NL6327HTSA1	MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3	Infineon Technologies	409.51 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSR802NL6327HTSA1	MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59	Infineon Technologies	412.78 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)