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BSP603S2L
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-223-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Id-連續(xù)漏極電流:5.2 A

Rds On-漏源導通電阻:33 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.6 mm

長度:6.5 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:3.5 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:16 ns

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:16 ns

工廠包裝數(shù)量:4000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:28 ns

典型接通延遲時間:10.8 ns

零件號別名:BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

單位重量:112 mg

BSP603S2L

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	廠商LOGO	PDF大小	PDF頁數(shù)	PDF文件	相關型號	第一頁預覽	產(chǎn)品購買
BSP603S2L	OptiMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]		211.78 Kbytes	共8頁		IPD05N03LA,IPI05N03LA,SPD15N06S2L-64,SPD50N06S2L-13,SPI100N03S2-03,SPP100N06S2L-05,SPD22N08S2L-50,SPD100N03S2L-04,SPI100N03S2L-03,SPP100N08S2-07		產(chǎn)品購買
BSP603S2LHUMA1	MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223	Infineon Technologies		237.68 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買