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BSP373N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：240.0m?

IDpuls max：7.3A

VDS max：100.0V

ID max：1.8A

Package：SOT-223

Rth：25.0K/W

QG：6.2nC

Budgetary Price ?€/1k：0.16

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：N

Pin Count：4.0Pins

RthJA max：110.0K/W

Mounting：SMD

Mode：Enhancement

Coss：36.0pF

Ciss：199.0pF

VGS(th) min max：2.1V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSP373N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSP373N	OptiMOSa?￠ Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	569.15 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSP373N H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.8A 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 218uA 漏源導(dǎo)通電阻：240mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	563.44 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSP373NH6327XTSA1	MOSFET N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3	Infineon Technologies	544.1 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSP373NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223	Infineon Technologies	544.1 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSP373NH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.8A 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 218uA 漏源導(dǎo)通電阻：240mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	563.44 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買