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BLF878
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Vds-漏源極擊穿電壓:89 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT502B

封裝:Tube

最小工作溫度:- 65 C

工廠包裝數(shù)量:20

類型:RF Power MOSFET

零件號別名:BLF878,112

BLF878

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BLF878	UHF power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	147.55 Kbytes	共18頁	BLC6G20-75,BLF2022-70,BLC6G22-100,BLF2022-125,BLF4G20LS-110B,BLF6G20-45,BLC6G10-200,BLF6G20-180P,2N6059_03,BLF4G10-120	產(chǎn)品購買
BLF878	UHF power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	156.5 Kbytes	共18頁		產(chǎn)品購買
BLF878	RF Manual 16th edition	NXP[NXP Semiconductors]	9375.07 Kbytes	共130頁		產(chǎn)品購買
BLF878,112	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET	NXP USA Inc.	1.34 Mbytes	共19頁		產(chǎn)品購買
BLF878,112	RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A	Ampleon USA Inc.	1.34 Mbytes	共19頁		產(chǎn)品購買
BLF878_09	UHF power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	156.5 Kbytes	共18頁		產(chǎn)品購買