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BLF871
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Vds-漏源極擊穿電壓:89 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V

增益:22 dB at 858 MHz

輸出功率:24 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-467C

封裝:Bulk

最小工作溫度:- 65 C

工作頻率:1 GHz

類型:RF Power MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.4 V

BLF871

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BLF871	UHF power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	144.72 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
BLF871(S)	RF Manual 16th edition	NXP[NXP Semiconductors]	9375.07 Kbytes	共130頁	產(chǎn)品購買
BLF871,112	RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C	Ampleon USA Inc.	1.51 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
BLF871_15	UHF power LDMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	626.76 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
BLF871S,112	RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B	Ampleon USA Inc.	1.51 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買