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BFP650
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:RF 晶體管(BJT)

系列:-

包裝:散裝

晶體管類型:NPN

電壓 - 集射極擊穿(最大值):4.5V

頻率 - 躍遷:37GHz

噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益:10.5dB ~ 21.5dB

功率 - 最大值:500mW

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):110 @ 80mA,3V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-82A,SOT-343

供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT343-4

其它名稱:Q1648254

介紹圖BFP650
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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BFP650FH6327XTSA1射頻(RF)雙極晶體管 RF BIP TRANSISTORInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)547.62 Kbytes共7頁BFP650FH6327XTSA1的PDF文件地址 BFP650FH6327XTSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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BFP650H6327XTSA1集電極電流Ic:150mA 額定功率:500mW 晶體管類型:NPN 集射極擊穿電壓Vce:4.5VInfineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1.48 Mbytes共29頁BFP650H6327XTSA1的PDF文件地址 BFP650H6327XTSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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