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BFP540FESD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

配置:Single

晶體管極性:NPN

集電極—基極電壓 VCBO:10 V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:4 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:1 V

最大直流電集電極電流:0.08 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:30 GHz

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSFP-4

商標(biāo):Infineon Technologies

直流集電極/Base Gain hfe Min:50

最小工作溫度:- 65 C

Pd-功率耗散:250 mW

BFP540FESD

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
BFP540FESD	NPN Silicon RF Transisto	INFINEON[Infineon Technologies AG]	112.56 Kbytes	共5頁(yè)	2N6059_03,BRF504,2SC5746,BUV42,2SC5128,2N5302_06,BC337_05,MMBT6521LT1,MMBTA14,MSD42WT1	產(chǎn)品購(gòu)買
BFP540FESD	NPN Silicon RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	504.48 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
BFP540FESD	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	538.44 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
BFP540FESD_10	NPN Silicon RF Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	504.48 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
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BFP540FESDH6327XTSA1	射頻(RF)雙極晶體管 RF BIP TRANSISTOR	Infineon Technologies	529.46 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
BFP540FESDH6327XTSA1	集電極電流Ic：80mA 額定功率：250mW 晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓Vce：5V	Infineon(英飛凌)	532.80 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買