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BC847CWT1G
規(guī)格信息:

Current-Collector(Ic)(Max):100mA

不同?Ib,Ic時的?Vce飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA

電流-集電極截止(最大值):15nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?時的DC電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

Power-Max:150mW

頻率-躍遷:100MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-70-3(SOT323)

封裝形式Package:SC-70

極性Polarity:NPN

集電極最大允許電流Ic:0.1A

集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:45V

功率 - 最大值:150mW

頻率 - 躍遷:100MHz

封裝/外殼:SC-70,SOT-323

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V

不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖BC847CWT1G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BC847CWT1GGeneral Purpose Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)111.64 Kbytes共13頁BC847CWT1G的PDF文件地址 BC847CWT1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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