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BC847CPDW1T1
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

配置:Dual

晶體管極性:NPN, PNP

集電極—基極電壓 VCBO:50 V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V @ NPN or 5 V @ PNP

最大直流電集電極電流:0.1 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz (Min)

最大工作溫度:+ 150 C

商標(biāo):Diodes Incorporated

直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V

最小工作溫度:- 55 C

Pd-功率耗散:380 mW

介紹圖BC847CPDW1T1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BC847CPDW1T1Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals) ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)166.48 Kbytes共10頁BC847CPDW1T1的PDF文件地址LBC846BDW1T1,LBC846BPDW1T1,EMH1,IMH20,FMW3,EMD4,UMT2N,UMA4N,EMX18,UMB6N BC847CPDW1T1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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