FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：51A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：43nC
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1420pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
功率耗散（最大值）：80W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：13.9 毫歐 @ 31A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：44A
Rds On-漏源導通電阻：13.9mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
配置：Single
Pd-功率耗散：80W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
封裝：CutTape
高度：4.4mm
長度：10mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：9.25mm
下降時間：41ns
上升時間：68ns
典型關閉延遲時間：33ns
典型接通延遲時間：14ns
封裝/外殼：TO-263-3
Vds-漏源極擊穿電壓：55V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs