制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:是
產(chǎn)品:IGBT Silicon Carbide Modules
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:195 A
柵極—射極漏泄電流:300 nA
Pd-功率耗散:500 W
封裝 / 箱體:ISOTOP-4
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tube
商標:Microchip / Microsemi
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:IGBTs