制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:是
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1.2 kV
集電極—射極飽和電壓:3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:170 A
柵極—射極漏泄電流:900 nA
Pd-功率耗散:830 W
封裝 / 箱體:SOT-227-4
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tube
高度:9.6 mm
長度:38.2 mm
工作溫度范圍:- 55 C to + 150 C
寬度:25.4 mm
商標:Microchip / Microsemi
安裝風格:Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:IGBTs
商標名:Thunderbolt IGBT, ISOTOP
單位重量:30 g