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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D3PAK-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:910 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:145 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

商標(biāo):Microchip / Microsemi

正向跨導(dǎo) - 最小值:15 S

下降時(shí)間:24 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:1

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:85 ns

典型接通延遲時(shí)間:26 ns

單位重量:38 g