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APT13005SI-G1
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-251-3

晶體管極性:NPN

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:450 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:9 V

集電極—射極飽和電壓:300 mV

最大直流電集電極電流:6.4 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:4 MHz

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:APT1300

直流電流增益 hFE 最大值:35 at 1 A, 5 V

封裝:Tube

商標:Diodes Incorporated

直流集電極/Base Gain hfe Min:20 at 1 A, 5 V

Pd-功率耗散:25 W

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:3600

子類別:Transistors

單位重量:340 mg

介紹圖APT13005SI-G1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
APT13005SI-G1HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR BCDSEMI[BCD Semiconductor Manufacturing Limited]BCDSEMI[BCD Semiconductor Manufacturing Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)667.8 Kbytes共10頁APT13005SI-G1的PDF文件地址 APT13005SI-G1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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