FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：7nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：782pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：14.5 毫歐 @ 8A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：6-DFN-EP（2x2）
封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs