FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：550pF @ 10V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：58 毫歐 @ 4A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-PoweruFDFN
封裝形式Package：DFN
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：4A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs