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FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.8A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：6V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：3.82nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：215pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），25W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：700 毫歐 @ 3.8A，15V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs