FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4A（Ta），14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.9V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：390pF @ 50V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：68 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs