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系列：AO

不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：4.5nC @ 4.5V

FET類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：1.4A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：400pF @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：113 毫歐 @ 1.4A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

封裝形式Package：SC-70

極性Polarity：P-CH

漏源極擊穿電壓VDSS：20V

連續(xù)漏極電流ID：1.4A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs