系列：AO
FET類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：1.7A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：285pF @ 15V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：55 毫歐 @ 1.7A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
封裝形式Package：SC-70
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：1.7A
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs