包裝標準卷帶
系列-
零件狀態(tài)停產
FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）14A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）9.5 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）17.8nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）920pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）