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AO4485
規(guī)格信息:

系列:AO

FET類型:P 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):10A(Ta)

驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V

不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):3000pF @ 20V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.7W(Ta)

不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):15 毫歐 @ 10A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC

封裝形式Package:SOIC

極性Polarity:P-CH

漏源極擊穿電壓VDSS:40V

連續(xù)漏極電流ID:10A

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖AO4485
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