FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）12A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）75nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1500pF @ 30V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），190W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）1.08 歐姆 @ 6A，10V
工作溫度150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-3PB
封裝/外殼TO-3P-3，SC-65-3
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs