FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))3.5A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)11nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)260pF @ 30V
功率耗散(最大值)2W(Ta),28W(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)3.25 歐姆 @ 1.8A,10V
工作溫度150°C(TJ)
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-220FI(LS)
封裝/外殼TO-220-3 整包
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs
2SK4197LS
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| 2SK4197LS | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications | SANYO[Sanyo Semicon Device] | 62.9 Kbytes | 共5頁(yè) | MCH6422,2SK2624FG,2SK4182,EC4408C,2SK4191LS,1HN04CH,MCH6423,2SK2624FS,2SK4183,ATP202 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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