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2SC5508-T2-A
規(guī)格信息：

晶體管類型NPN

電壓 - 集射極擊穿（最大值）3.3V

頻率 - 躍遷25GHz

噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）1.1dB @ 2GHz

增益17dB

功率 - 最大值115mW

不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）50 @ 5mA，2V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）35mA

工作溫度150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼SOT-343F

供應(yīng)商器件封裝SOT-343F

無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖2SC5508-T2-A
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
2SC5508-T2-ANPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO-天天IC網(wǎng)229.94 Kbytes共10頁(yè)2SC5508-T2-A的PDF文件地址 2SC5508-T2-A的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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