晶體管類型NPN
電壓 - 集射極擊穿(最大值)3.3V
頻率 - 躍遷25GHz
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值)1.1dB @ 2GHz
增益19dB
功率 - 最大值115mW
不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)50 @ 5mA,2V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼SOT-343F
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs
2SC5508-A
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| 2SC5508-A | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION | RENESAS[Renesas Technology Corp] | 229.94 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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