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2SC3357-T1-A
規(guī)格信息：

晶體管類型NPN

電壓 - 集射極擊穿（最大值）12V

頻率 - 躍遷6.5GHz

噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）1.8dB @ 1GHz

增益10dB

功率 - 最大值1.2W

不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）50 @ 20mA，10V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）100mA

工作溫度150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼TO-243AA

供應(yīng)商器件封裝SOT-89

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖2SC3357-T1-A
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
2SC3357-T1-ANPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO-天天IC網(wǎng)216.06 Kbytes共6頁2SC3357-T1-A的PDF文件地址 2SC3357-T1-A的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
2SC3357-T1-A/J RE集電極電流Ic：100mA 額定功率：1.2W 晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓Vce：12VNEC(日電電子)NEC(日電電子)的LOGO-天天IC網(wǎng)79.56 Kbytes共8頁2SC3357-T1-A/J RE的PDF文件地址 2SC3357-T1-A/J RE的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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