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2SC3356-T1B-A
規(guī)格信息：

晶體管類型NPN

電壓 - 集射極擊穿（最大值）12V

頻率 - 躍遷7GHz

噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）1.1dB @ 1GHz

增益13dB

功率 - 最大值200mW

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）50 @ 20mA，10V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）100mA

工作溫度150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝SOT-23

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖2SC3356-T1B-A
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
2SC3356-T1B-ANPN Silicon RF Transistor RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO-天天IC網(wǎng)189.37 Kbytes共9頁2SC3356-T1B-A的PDF文件地址 2SC3356-T1B-A的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2SC3356-T1B-A/AS集電極電流Ic：100mA 額定功率：200mW 晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓Vce：12VRENESAS(瑞薩)RENESAS(瑞薩)的LOGO-天天IC網(wǎng)182.66 Kbytes共9頁2SC3356-T1B-A/AS的PDF文件地址 2SC3356-T1B-A/AS的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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