FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）320mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
功率耗散（最大值）350mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）1.6 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs