FET類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）320mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）350mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）1.6 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式PackageSOT-23
極性PolarityN-CH
漏源極擊穿電壓VDSS60V
連續(xù)漏極電流ID0.38A
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）1.6 歐姆 @ 500mA，10V
FET 類型N 溝道
漏源極電壓（Vdss）60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）320mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs