制造商:International Rectifier
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:4 A
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.68 Ohms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 20 V
Pd-功率耗散:25 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-39-3
商標(biāo):International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:80 ns (Max)
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:100 ns (Max)
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns (Max)
典型接通延遲時(shí)間:50 ns (Max)