數(shù)據列表：2N6849
標準包裝：1
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 單
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：320 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：34.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：-
功率 - 最大值：800mW
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-205AF 金屬罐
供應商器件封裝：TO-39