������^
������̖
������:IXYS
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g:Si
���b�L��:SMD/SMT
���b / ���w:TO-263-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:600 V
Id-�B�m(x��)©�O���:10 A
Rds On-©Դ��ͨ���:740 mOhms
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:30 V
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:200 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
�̘���:HiPerFET
���b:Tube
�߶�:4.5 mm
�L��:9.9 mm
ϵ��:IXFA10N60P
���w�����:1 N-Channel
����:9.2 mm
�̘�:IXYS
����猧 - ��Сֵ:11 S
�½��r�g:21 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:27 ns
���S���b��(sh��)��:50
��e:MOSFETs
�����P�]���t�r�g:65 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:23 ns
�����:1.600 g
�Pע�ٷ���
����IC�W(w��ng)���������ķ���Ӎ�Ƽ�����˾�����\�I
����IC�W(w��ng) ( www.meandmyfour.com ) �������?2014-2025 ��ICP��15059004̖