������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
RoHS:��
���b�L��:Through Hole
���b / ���w:TO-92-3
���w�ܘO��:PNP
����:Single
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:- 160 V
��늘O�����O늉� VCBO:- 160 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:- 6 V
��늘O����O�늉�:- 1.5 V
���ֱ��늼�늘O���:1 A
���控���a(ch��n)ƷfT:50 MHz
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
ϵ��:KSA1013
ֱ��������� hFE ���ֵ:320
�߶�:8 mm
�L��:4.9 mm
���b:Bulk
����:3.9 mm
�̘�:ON Semiconductor / Fairchild
��늘O�B�m(x��)���:- 1 A
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:60
Pd-���ʺ�ɢ:900 mW
�a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
���S���b��(sh��)��:6000
��e:Transistors
���̖�e��:KSA1013YBU_NL
�����:185 mg