������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:�_���D���w��
RoHS:��
����:Single
���w�ܘO��:PNP
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:80 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
��늘O�����O늉� VCBO:80 V
���ֱ��늼�늘O���:20 A
���늘O��ֹ���:500 uA
Pd-���ʺ�ɢ:160 W
���b�L��:Through Hole
���b / ���w:TO-204-2 (TO-3)
��С�����ض�:- 65 C
������ض�:+ 150 C
ϵ��:2N6286
���b:Tray
ֱ��������� hFE ���ֵ:18000
�߶�:8.51 mm
�L��:39.37 mm
����:26.67 mm
�̘�:ON Semiconductor
��늘O�B�m(x��)���:20 A
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:100, 750
�a(ch��n)Ʒ���:Darlington Transistors
���S���b��(sh��)��:100
��e:Transistors
�����:12.021 g