������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
RoHS:��
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:SOT-963-6
���w�ܘO��:PNP
����:Dual
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:40 V
��늘O�����O늉� VCBO:40 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
���ֱ��늼�늘O���:0.2 A
���控���a(ch��n)ƷfT:250 MHz
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
ϵ��:NST3906DP6
ֱ��������� hFE ���ֵ:60 at 100 uA, 1 V
�߶�:0.37 mm
�L��:1 mm
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
����:0.8 mm
�̘�(bi��o):ON Semiconductor
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:60
Pd-���ʺ�ɢ:280 mW
�a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
���S���b��(sh��)��:8000
��e:Transistors