������:ROHM Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
RoHS:��
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:UMT-3
���w�ܘO��:NPN
����:Single
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:60 V
��늘O�����O늉� VCBO:60 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:6 V
��늘O����O�늉�:150 mV
���ֱ��늼�늘O���:0.5 A
���控���a(ch��n)ƷfT:300 MHz
������ض�:+ 150 C
ϵ��:2SC5876
ֱ��������� hFE ���ֵ:390
�߶�:0.8 mm
�L(zh��ng)��:2 mm
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
����:1.25 mm
�̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
��늘O�B�m(x��)���:0.5 A
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:120
Pd-���ʺ�ɢ:200 mW
�a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:BJTs - Bipolar Transistors
���S���b��(sh��)��:3000
���(l��i)�e:Transistors
�����:3 mg