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耗盡型MOS管(N溝道)

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IPP60R099CP場效應(yīng)管Infineon(英飛凌) TO-220-3 500/包 50個/管全新原標(biāo)原簽原盒

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  • Infineon(英飛凌)
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供應(yīng)商信息

深圳市澤騰科技有限公司

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    7

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  • 聯(lián) 系人:曹,林
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推薦的產(chǎn)品
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IPP60R099CP數(shù)據(jù)手冊
IPP60R099CP參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
600 V
Id-連續(xù)漏極電流
31 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
90 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
80 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
CoolMOS
封裝
Tube
高度
15.65 mm
長度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
4.4 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
下降時間
5 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
5 ns
工廠包裝數(shù)量
500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
60 ns
典型接通延遲時間
10 ns
零件號別名
IPP60R099CPXKSA1 IPP6R99CPXK SP000057021
單位重量
6 g
商品詳情

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