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其它集成電路

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LM74800QDRRRQ1

  • LM74800QDRRRQ1請詢價2026-06-05 05:37
  • TI/德州儀器
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供應商信息

深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 會員資質:

    17

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經營品牌:ADI Infineon NXP ON ST Ti
  • 聯(lián) 系人:羅先生
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:19854773352
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  • 手  機:19854773352
  • 地  址:深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀A棟2003F19
LM74800QDRRRQ1數(shù)據(jù)手冊
LM74800QDRRRQ1參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
Series
Automotive, AEC-Q100
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel?
Type
N+1 ORing Controller
FET Type
N-Channel
Ratio - InputOutput
1:1
Internal Switch(s)
Yes
Delay Time - ON
2.6 μs
Delay Time - OFF
500 ns
Current - Output (Max)
5A
Current - Supply
413 μA
Voltage - Supply
3V ~ 65V
Applications
Automotive, Redundant Power Supplies
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case
12-WFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
12-SON (3x3)
商品詳情

質量信息

評分Automotive
RoHS
REACH
引腳鍍層/焊球材料NIPDAU
MSL 等級/回流焊峰值溫度Level-2-260C-1 YEAR

封裝信息

封裝 | 引腳
工作溫度范圍 (°C)-40 to 125
包裝數(shù)量 | 包裝

LM7480-Q1 的特性

  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 在共漏極和共源極配置下,可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節(jié)下,理想二極管正常運行 (LM74800-Q1)
  • 低反向檢測閾值 (–4.5mV),能夠快速響應 (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調節(jié)過壓保護
  • 2.87μA 低關斷電流(EN/UVLO = 低電平)
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

LM7480-Q1 的說明

LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許負載斷開(開/關控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節(jié)過壓切斷保護功能。LM7480-Q1 有兩種型號:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實現(xiàn)反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET,可以保護負載免受過壓瞬態(tài)(例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負載突降)的影響。


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