Rohs:Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
晶體管類型:NPN
- 集電極電流(Ic)(最大):7A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:220mV @ 300mA, 6.5A
電流 - 集電極截止(最大):-
直流電流增益(HFE)(最小值)@?IC,VCE:100 @ 1A, 1V
功率 - 最大:3W
頻率轉(zhuǎn)換:140MHz
安裝類型 :Surface Mount
包/盒 :TO-261-4, TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝:SOT-223
包裝材料 :Tape & Reel (TR)
包裝:4SOT-223
類型:NPN
引腳數(shù):4
最大集電極發(fā)射極電壓:30 V
集電極最大直流電流:7 A
最小直流電流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V
最大工作頻率:140(Typ) MHz
最大集電極發(fā)射極飽和電壓:0.035@[email protected]|0.05@100mA@1A|0.065@20mA@1A|0.125@20mA@2A|0.22@[email protected] V
最大集電極基極電壓:80 V
工作溫度:-55 to 150 °C
最大功率耗散:3000 mW
安裝:Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝:Tape & Reel
集電極最大直流電流:7
Maximum Transition Frequency :140(Typ)
包裝寬度:3.7(Max)
PCB:3
最大功率耗散:3000
歐盟RoHS指令:Compliant
每個(gè)芯片的元件數(shù):1
最大集電極基極電壓:80
最低工作溫度:-55
供應(yīng)商封裝形式:SOT-223
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:SOT-223
最高工作溫度:150
包裝長(zhǎng)度:6.7(Max)
最大集電極發(fā)射極電壓:30
包裝高度:1.65(Max)
最大基地發(fā)射極電壓:7
封裝:Tape and Reel
標(biāo)簽:Tab
鉛形狀:Gull-wing
P( TOT ):1.6W
匹配代碼:ZXTN2007G
I(C ):7A
V( CEO ):30V
單位包:1000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期:14 weeks
最小起訂量:1000
極化:NPN
無(wú)鉛Defin:RoHS-conform
電流增益:200
V( CBO ):80V
電流 - 集電極( Ic)(最大):7A
晶體管類型:NPN
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉(zhuǎn)換:140MHz
下的Vce飽和度(最大) Ib,Ic條件:220mV @ 300mA, 6.5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223
功率 - 最大:3W
封裝/外殼:TO-261-4, TO-261AA
直流電流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce時(shí):100 @ 1A, 1V
其他名稱:ZXTN2007GTR
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量:1000
增益帶寬產(chǎn)品fT:140 MHz
產(chǎn)品種類:Transistors Bipolar - BJT
晶體管極性:NPN
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO:7 V
直流集電極/增益hfe最小值:100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 7 A at 1 V, 20 at 20 A at 1 V
直流電流增益hFE最大值:100
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO:30 V
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
集電極 - 基極電壓VCBO:80 V
最低工作溫度:- 55 C
配置:Single
最高工作溫度:+ 150 C
ZXTN2007GTA
| 型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁(yè)數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號(hào) | 第一頁(yè)預(yù)覽 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTN2007GTA | 30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | ZETEX[Zetex Semiconductors] | 125.37 Kbytes | 共6頁(yè) | ZX5T849G,ZX5T851G,ZX5T853G,ZXTN2011G,ZX5T849Z,ZXTN2007Z,ZXTN2010G,ZX5T955G,ZXTN2010A,ZXT1053AK | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
| ZXTN2007GTA | 30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | DIODES[Diodes Incorporated] | 141.28 Kbytes | 共6頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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