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ZXT12N50DXTC
規(guī)格信息:

標準包裝:4,000

晶體管類型:2 NPN (Dual)

集電極電流(Ic)(最大):3A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V

Vce飽和(最大)@ IB,IC:250mV @ 50mA, 3A

電流 - 集電極截止(最大):100nA

直流電流增益(HFE)(最小值)@?IC,VCE:300 @ 1A, 2V

功率 - 最大:1.04W

頻率轉(zhuǎn)換:132MHz

安裝類型 :Surface Mount

包/盒 :8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 寬度 )

供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP

包裝材料 :Tape & Reel (TR)

包裝:8MSOP

類型:NPN

引腳數(shù):8

最大集電極發(fā)射極電壓:50 V

集電極最大直流電流:3 A

最小直流電流增益:250@10mA@2V|300@1A@2V|150@3A@2V|50@5A@2V

最大工作頻率:132(Typ) MHz

最大集電極發(fā)射極飽和電壓:0.013@[email protected]|0.12@10mA@1A|0.25@50mA@3A|0.175@300mA@3A V

最大集電極基極電壓:100 V

工作溫度:-55 to 150 °C

最大功率耗散:1250 mW

安裝:Surface Mount

標準包裝:Tape & Reel

單位包:4000

最小起訂量:4000

電流 - 集電極( Ic)(最大):3A

晶體管類型:2 NPN (Dual)

安裝類型:Surface Mount

頻率 - 轉(zhuǎn)換:132MHz

下的Vce飽和度(最大) Ib,Ic條件:250mV @ 50mA, 3A

電流 - 集電極截止(最大):100nA

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V

供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP

封裝:Tape & Reel (TR)

功率 - 最大:1.04W

封裝/外殼:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

直流電流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce時:300 @ 1A, 2V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

工廠包裝數(shù)量:4000

集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:135 mV

產(chǎn)品種類:Transistors Bipolar - BJT

晶體管極性:PNP

發(fā)射極 - 基極電壓VEBO:7.5 V

直流集電極/增益hfe最小值:250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V

直流電流增益hFE最大值:250 at 10 mA at 2 V

增益帶寬產(chǎn)品fT:132 MHz

集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO:50 V

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

集電極 - 基極電壓VCBO:100 V

最低工作溫度:- 55 C

配置:Dual

最高工作溫度:+ 150 C

介紹圖ZXT12N50DXTC
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
ZXT12N50DXTCDUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)258.81 Kbytes共7頁ZXT12N50DXTC的PDF文件地址ZXTD09N50DE6,ZXT10N50DE6,ZXTDBM832,ZXT13N50DE6,ZXT14N50DX,ZXT12N20DX,ZXT13N15DE6,ZXTDC3M832,ZXT13N20DE6,BCX41 ZXT12N50DXTC的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
ZXT12N50DXTCDUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)267.5 Kbytes共6頁ZXT12N50DXTC的PDF文件地址 ZXT12N50DXTC的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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