Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
晶體管類型：NPN
- 集電極電流（Ic）（最大）：4.5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
Vce飽和（最大）@ IB，IC：210mV @ 200mA, 5A
電流 - 集電極截止（最大）：-
直流電流增益（HFE）（最小值）@?IC，VCE：100 @ 2A, 1V
功率 - 最大：1W
頻率轉(zhuǎn)換：130MHz
安裝類型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3
包裝材料
：Tape & Box (TB)
包裝：3E-Line
類型：NPN
引腳數(shù)：3
最大集電極發(fā)射極電壓：60 V
集電極最大直流電流：4.5 A
最小直流電流增益：100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V
最大工作頻率：130(Typ) MHz
最大集電極發(fā)射極飽和電壓：0.03@5mA@100mA|0.055@100mA@1A|0.65@50mA@1A|0.13@50mA@2A|0.21@200mA@5A V
最大集電極基極電壓：150 V
工作溫度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：1000 mW
安裝：Through Hole
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Ammo Pack
單位包：2000
最小起訂量：2000
電流 - 集電極（ Ic）（最大）：4.5A
晶體管類型：NPN
安裝類型：Through Hole
頻率 - 轉(zhuǎn)換：130MHz
下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件：210mV @ 200mA, 5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3
封裝：Tape & Box (TB)
功率 - 最大：1W
封裝/外殼：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時(shí)：100 @ 2A, 1V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：2000
增益帶寬產(chǎn)品fT：130 MHz
產(chǎn)品種類：Transistors Bipolar - BJT
晶體管極性：NPN
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO：7 V
直流集電極/增益hfe最小值：100 at 10 mA at 1 V
直流電流增益hFE最大值：100 at 10 mA at 1 V
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO：60 V
安裝風(fēng)格：Through Hole
集電極 - 基極電壓VCBO：150 V
最低工作溫度：- 55 C
配置：Single