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TSFF5210
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:紅外發(fā)射源

RoHS:是

安裝風(fēng)格:Through Hole

波長:870 nm

輻射強(qiáng)度:1800 mW/sr

If - 正向電流:100 mA

Vf - 正向電壓:1.6 V

功率額定值:250 mW

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

封裝:Bulk

高度:8.7 mm

照明顏色:Infrared

長度:5.8 mm

寬度:5.8 mm

商標(biāo):Vishay Semiconductors

透鏡形狀:Circular

顯示角:10 deg

透鏡尺寸:5 mm x 5 mm x 7.7 mm

產(chǎn)品類型:IR Emitters (IR LEDs)

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:4000

子類別:Infrared Data Communications

Vr - 反向電壓 :5 V

TSFF5210

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
TSFF5210	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	VISHAY[Vishay Siliconix]	109.21 Kbytes	共5頁	TSFF5210,TSFF5510,TSMF3710,TSHG6200,VSMF3710,TSAL7200_08,TSAL7300_08,TSAL7400_08,TSAL7600_08,RJK6014DPP	產(chǎn)品購買
TSFF5210	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	VISHAY[Vishay Siliconix]	113.98 Kbytes	共6頁	TSHF5410,TSAL5100,TSML1000,TSMF3700,OPR2800,SEP8506,OP298,NJL6201R-1,TS4148,CQY36N	產(chǎn)品購買
TSFF5210	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	VISHAY[Vishay Siliconix]	111.73 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
TSFF5210_08	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	VISHAY[Vishay Siliconix]	109.21 Kbytes	共5頁	TSFF5210,TSFF5510,TSMF3710,TSHG6200,VSMF3710,TSAL7200_08,TSAL7300_08,TSAL7400_08,TSAL7600_08,RJK6014DPP	產(chǎn)品購買
TSFF5210_09	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	VISHAY[Vishay Siliconix]	111.73 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
TSFF5210-CS12	EMITTER IR 870NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	107.70 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買