制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
產(chǎn)品種類:射頻(RF)雙極晶體管
RoHS:是
晶體管類型:Bipolar Power
技術(shù):Si
晶體管極性:NPN
直流集電極/Base Gain hfe Min:30
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極連續(xù)電流:12 A
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 200 C
安裝風(fēng)格:Screw Mount
封裝 / 箱體:398-03
封裝:Tray
工作頻率:860 MHz
類型:RF Bipolar Power
商標(biāo):Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散:215 W
產(chǎn)品類型:RF Bipolar Transistors
子類別:Transistors